सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र (CSEM)
अपकेंद्रित्र मशीन
- बनाओ: एपपॉर्फ (5804 आर)
- बनाओ: एपपॉर्फ (5804 आर)
- बनाओ: एपपॉर्फ (5804 आर)
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
Centrifuge machine
रासायनिक स्नान जमाव (सीबीडी) प्रणाली
300 मिमी x 300 मिमी के आकार के कांच या लचीले सबस्ट्रेट्स पर सीडीएस या वैकल्पिक बफर-परतों की कोटिंग के लिए अर्ध स्वचालित प्रायोगिक रासायनिक स्नान निक्षेपण प्रणाली की स्थापना। प्रक्रिया कक्ष के अंदर प्रक्रिया कवर और हीटिंग तत्व के बीच सब्सट्रेट तय किया जा रहा है। ऑपरेटिंग-पैनल द्वारा रासायनिक खुराक प्रणाली के माध्यम से प्रक्रिया कक्ष में गर्म (अधिकतम 90 डिग्री सेल्सियस) या परिवेश रसायन का स्वत: भरना। प्रक्रिया-समय को इलेक्ट्रिक मोटर द्वारा टाइमर और स्वचालित वॉबलिंग द्वारा समायोजित किया जा सकता है।
रासायनिक स्नान निक्षेपण द्वारा सीडीएस बफर परत के निक्षेपण के लिए उपकरण का उपयोग किया जा रहा है। चूंकि बफर परत को पी-टाइप सेमीकंडक्टिविटी और उच्च संचरण गुणों के साथ होना चाहिए, उपकरण प्रतिक्रिया समय के कुछ मिनटों के भीतर नमक अग्रदूतों से लगभग 50-70 एनएम की गुणवत्ता वाली सीडीएस बफर परत बनाने में सक्षम बनाता है। नि
निर्माण
सिंगुलस-स्टैंगल, जर्मनी
विशेष विवरण
अर्ध स्वचालित सीबीडी प्रणाली/p>
आवेदन
रासायनिक मार्ग द्वारा सीडीएस या वैकल्पिक बफर परत
Chemical Bath Deposition (CBD) system
डिजिटल प्रयोगशाला गर्म हवा ओवन
मॉडल और बनाओ
यूएफई 700, नाबेरथर्म जीएमबीएच, जर्मनी
विशेष विवरण
- मेमर्ट (UF160)
- तापमान सीमा: 30-300 डिग्री सेल्सियस
- आयाम: 560(डब्ल्यू)*720(एच)*400(डी) मिमी
- विकल्प: प्रोग्राम करने योग्य तापमान और अवधि
विवरण
डिजिटल प्रयोगशाला गर्म हवा ओवन का प्रयोग प्रयोगशाला पैमाने में सभी प्रकार के कार्यात्मक कोटिंग्स / सामग्रियों को सुखाने या ठीक करने के लिए किया जाता है।
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
Hot air oven
डिप कोटर
मॉडल और बनाओ
H0-TH-01C, HO-TH-12T; Holmarc ऑप्टो मेक्ट्रोनिक्स प्रा। लिमिटेड
विशेष विवरण
- स्ट्रोक की लंबाई / काम की लंबाई: 1200 मिमी
- डुबकी गति: 30-600 मिमी / मिनट
- वापसी की गति: 30-600 मिमी / मिनट
विवरण
इसका उपयोग बेलनाकार या आयताकार नमूने की विस्तृत श्रृंखला के आकार (प्रयोगशाला पैमाने से प्रोटोटाइप आकार तक) के साथ कई नमूनों के साथ कोटिंग प्रक्रिया को करने के लिए किया जाता है। यह विभिन्न कार्यात्मक कोटिंग्स के विकास के लिए सौर पीवी, सौर तापीय और प्रकाशिकी में व्यापक रूप से लागू होता है।
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
Dip coater
विद्युत रासायनिक विश्लेषक (प्रसंस्करण और विशेषता)
मॉडल और बनाओ
पारस्टैट 4000 ए, अमेटेक
विशेष विवरण:
- अधिकतम वर्तमान आउटपुट: ± 4A
- अधिकतम वोल्टेज आउटपुट: ± 10V
- फ्रीक्वेंसी रेंज: 10 µHz से 10 MHz
- वोल्टेज स्वीप दर: 1mV/s से 25 kV/s
विवरण:
एक विस्तृत करंट और पोटेंशियल विंडो के साथ इलेक्ट्रोकेमिकल एनालाइजर का उपयोग विभिन्न तरीकों से इलेक्ट्रोकेमिकल प्रोसेसिंग और नमूनों और उपकरणों के लक्षण वर्णन के लिए किया जाता है:
- वोल्टामेट्री - रैखिक स्कैन वोल्टमेट्री, चक्रीय वोल्टामेट्री, सीढ़ी वोल्टामेट्री, क्रोनोएम्परोमेट्री, डिफरेंशियल पल्स वोल्टामेट्री, आदि।
- जंग - रैखिक ध्रुवीकरण प्रतिरोध (LPR), पोटेंटियोडायनामिक और पोटेंशियोस्टेटिक, गैलानोडायनामिक और गैल्वेनोस्टेटिक जंग, टैफेल प्लॉट, आदि।
- प्रतिबाधा - पोंटेंटियोस्टैटिक और गैल्वेनोस्टैटिक ईआईएस, मोट-शोट्की विश्लेषण, आदि।
- ऊर्जा - आवेश-निर्वहन विश्लेषण, चक्र स्थिरता, आदि।
केंद्र:
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
इवेपोरेटर-आरटीपी
इवेपोरेटर-आरटीपी 300 मिमी x 300 मिमी ग्लास और लचीले सब्सट्रेट पर सीआईएस और सीआईजीएस के सल्फ्यूराइजेशन/सेलेनाइजेशन के लिए डिज़ाइन किया गया सॉफ्टवेयर-नियंत्रित सुरंग-प्रकार की भट्टी है। उपकरण में सल्फर (एस) और सेलेनियम (से) प्रसार के लिए एक वायुमंडलीय दबाव गर्म-दीवार जमाव उपकरण होता है जो पूर्ण सीआईजीएस अवशोषक परत को क्रिस्टलाइज करने के लिए एक इनलाइन आरटीपी भट्ठी से जुड़ा होता है। RTP मॉड्यूल वाष्पीकरण मॉड्यूल के अपस्ट्रीम में स्थित है और सक्रिय CIS/CIGS परत को सटीक रूप से गर्म करने और ठंडा करने दोनों के लिए उपयोग किया जा रहा है। क्यूंकि Cu/CuGa और In के जमाव के बाद सल्फराइजेशन/सेलेनाइजेशन महत्वपूर्ण कदम है और गुणवत्ता CIS/CIGS पतली फिल्म निर्धारित करता है, वांछित मोटाई के साथ उच्च गुणवत्ता और समान CIGS पतली फिल्म प्राप्त करने के लिए जमाव और RTP पैरामीटर भिन्न हो सकते हैं।
निर्माण
कुलीफ्लो थेर्म, फ्रांस
बाष्पीकरण करनेवाला विनिर्देशों
तापमान स्थिरता के साथ अधिकतम तापमान 700 o C +/- 2 o C
आरटीपी विनिर्देशों
Temperature control range 100oC - 800oC (10oC/s heating rate) with temperature uniformity better than +/- 3%
आवेदन
सेलेनाइजेशन/सल्फराइजेशन
इवेपोरेटर-आरटीपी
मजबूर गर्म हवा ओवन
मॉडल और बनाओ
यूएफई 700, नाबेरथर्म जीएमबीएच, जर्मनी
विशेष विवरण
- मेक: मेमर्ट (यूएफई 700)
- तापमान सीमा: 30 से 300 डिग्री सेल्सियस
- आंतरिक आयाम: 1040 मिमी (डब्ल्यू) x 800 मिमी (एच) x 500 मिमी (डी)
विवरण
फोर्स्ड एयर सर्कुलेशन ओवन का उपयोग बड़े पैमाने पर सभी प्रकार के कार्यात्मक कोटिंग्स / सामग्रियों को सुखाने या ठीक करने के लिए किया जाता है
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
गर्म हवा ओवन
चार जांच मापन प्रणाली
मॉडल और बनाओ
लोरेस्टा जीपी ; मित्सुबिशी केमिकल एनालिटेक कं, लिमिटेड, जापान
विशेष विवरण
- मापन सीमा = 10 -6 से 107 4-डिजिटल सटीकता के साथ
- माप सटीकता = ± 0.5% (±3 अंक)
- मापन नमूना आकार = न्यूनतम व्यास: 5 मिमी और अधिकतम व्यास: 300 मिमी
- नमूना प्रकार: नैनो से माइक्रोन आकार की फिल्में और थोक सामग्री (चिकनी या खुरदरी)
विवरण
4-पिन जांच विधि नैनो से माइक्रोन स्तर की पतली फिल्मों और सामग्रियों की थोक प्रतिरोधकता के लिए सटीक शीट प्रतिरोध और चालकता माप सुनिश्चित करती है। यह विभिन्न क्षेत्रों में कार्यरत सौर पीवी, इलेक्ट्रॉनिक्स, सौर तापीय और प्रवाहकीय सामग्री (पेंट, पेस्ट, प्लास्टिक, रबर, फिल्म, फाइबर, चीनी मिट्टी की चीज़ें, आदि) में व्यापक रूप से लागू होता है।
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
Figure 6. Four Probe
एफटीआईआर स्पेक्ट्रोफोटोमीटर
मॉडल और बनाओ
वर्टेक्स 70; ब्रुकर ऑप्टिक जीएमबीएच, जर्मनी
विशेष विवरण
- मापन सीमा: 400-4000 सेमी -1 (2.5 -25 माइक्रोन)
- वर्णक्रमीय संकल्प = 0.4 सेमी -1
- ठोस के लिए नमूना आकार: न्यूनतम 50 से 100 मिमी अधिकतम (वर्ग)
- थर्मल उत्सर्जन के लिए नमूना आकार: 13 मिमी आयुध डिपो और 1 से 5 मिमी मोटाई
- नमूना प्रकार: ठोस (थोक सामग्री और पाउडर), तरल पदार्थ और पतली फिल्में
विवरण
उपकरण सौर अवशोषक सामग्री और विशेष रूप से सौर तापीय अनुप्रयोगों के क्षेत्र में नियोजित कोटिंग्स के ऑप्टिकल और थर्मल उत्सर्जन विशेषताओं (संप्रेषण, वर्णक्रमीय उत्सर्जन और थर्मल उत्सर्जन) को सक्षम बनाता है। इसके अलावा, यह आईआर क्षेत्र में ठोस, तरल और कम तापमान क्रिस्टलीय के रूप में रासायनिक यौगिकों के सभी बुनियादी लक्षण वर्णन को सक्षम बनाता है। यह सौर तापीय, सौर पीवी और रासायनिक विश्लेषण में व्यापक रूप से लागू होता है।
सामान
- एकीकृत क्षेत्र (अपारदर्शी पतली फिल्मों के वर्णक्रमीय उत्सर्जन को निर्धारित करने के लिए)
- तापमान नियंत्रकों से जुड़े ब्लैकबॉडी के साथ उच्च दबाव सेल (100 डिग्री सेल्सियस से 800 डिग्री सेल्सियस के तापमान पर पतली फिल्मों के विकिरण उत्सर्जन को निर्धारित करने के लिए)
- संप्रेषण मोड (पतली फिल्म या गोली में कार्यात्मक समूहों को निर्धारित करने के लिए)
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
Figure 2. FT-IR spectrophotometer attached with high pressure cell & Blackbody
कांच धोने की मशीन
चूंकि सीआईजीएस पतली फिल्म सौर कोशिकाओं के लिए सब्सट्रेट के रूप में 300 मिमी x 300 मिमी ग्लास का उपयोग किया जाता है, स्वच्छ सतह वाले कांच की गुणवत्ता महत्वपूर्ण है और सौर कोशिकाओं की कार्यक्षमता निर्धारित करती है। कोटिंग के लिए आगे उपयोग की जाने वाली रासायनिक जड़ता में सुधार करने के लिए ग्लास वाशिंग मशीन का उपयोग कांच की सतह को नीचा दिखाने के लिए किया जा रहा है। ग्लास वॉशिंग मशीन को लचीले चक्र कार्यक्रमों के साथ तैयार किया गया है, जो उपयोगकर्ता को धोने के समय और तापमान, भाप उत्पादन, कुल और शुद्ध पानी की संख्या, अंतिम कुल्ला तापमान सुखाने का समय और तापमान सहित मापदंडों के सही संयोजन का चयन करने में नियंत्रण देता है।
निर्माण
मील, ग्रामनी
आवेदन
ग्लास सब्सट्रेट की सफाई
Glass washing machine
हैंडहेल्ड रिफ्लेक्टोमीटर और एमिसोमीटर
मॉडल और बनाओ
410- सोलर विज़िबल, ET 100; भूतल प्रकाशिकी निगम
विशेष विवरण
- मापन विकल्प: यूवी-विज़-आईआर स्पेक्ट्रल रेंज में कुल प्रतिबिंब और सौर अवशोषण (एएम1.0/1.5) और थर्मल उत्सर्जन की गणना करता है।
- आवेदन: लैब और फील्ड अध्ययन
विवरण
410-सोलर एक बैटरी चालित पोर्टेबल रिफ्लेक्टोमीटर है, जो सौर परावर्तन, सौर अवशोषण माप और दर्पण मूल्यांकन को मापने के लिए आदर्श उपकरण है। एक संशोधित एकीकृत क्षेत्र के आधार पर, यह 300-2500 एनएम स्पेक्ट्रल क्षेत्रों में सात उप-बैंडों पर कुल प्रतिबिंब को मापता है। ET-100 थर्मल इन्फ्रारेड स्पेक्ट्रल क्षेत्र में छह बैंडों पर दिशात्मक प्रतिबिंब को मापता है। उन मूल्यों के आधार पर, दिशात्मक और कुल गोलार्द्ध उत्सर्जन की गणना की जाती है। ET-100 फील्ड निरीक्षण सहित विकिरण ताप माप अनुप्रयोगों के लिए एक उपयोगी उपकरण है।
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
Figure 3. Handheld reflectometer and Emissometer
हीलियम रिसाव डिटेक्टर
निर्माण
ओर्लीकॉन लेबोल्ड वैक्यूम, जर्मनी
नमूना
फोनीएक्सएल300
विशेष विवरण
- पता लगाने योग्य वह रिसाव दर (वैक्यूम मोड): ≤ 5 x 10 -12 mbar.ls -1
- पता लगाने योग्य वह रिसाव दर (स्निफर मोड): <1 x 10 -7 mbar.ls -1
आवेदन
- वह लीक का पता लगाता है
विवरण
हीलियम लीक डिटेक्टर का उपयोग वैक्यूम सिस्टम और गैस लाइनों में रिसाव का पता लगाने के लिए किया जाता है।
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
वह रिसाव डिटेक्टर
उच्च तापमान आटोक्लेव
मॉडल और बनाओ
4848 रिएक्टर नियंत्रक, 4760-1803 रिएक्टर पोत; पारा साधन
विशेष विवरण
- आयाम: 600 मिलीलीटर रिएक्टर मात्रा
- पोत सामग्री: Hastelloy C-276
- अधिकतम दबाव: 3000 पीएसआई
- अधिकतम तापमान: 350 डिग्री सेल्सियस
- वाल्व: दबाव सुरक्षा वाल्व, गैस रिलीज वाल्व, नमूना वाल्व
विवरण
तापमान, दबाव और प्रक्रिया अवधि जैसे अलग-अलग मापदंडों द्वारा सॉल्वो और हाइड्रोथर्मल प्रक्रिया के माध्यम से कार्यात्मक नैनो-सामग्रियों की तैयारी के लिए उच्च-तापमान आटोक्लेव का उपयोग किया जा सकता है। रिएक्टर पोत के अंदर प्राप्त दबाव को पूरी प्रक्रिया अवधि के दौरान मॉनिटर किया जा सकता है।
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
उच्च तापमान आटोक्लेव
उच्च तापमान हिंगेड ट्यूब भट्ठी
मॉडल और बनाओ
रुपये 120/1300/11; नाबेरथर्म जीएमबीएच, जर्मनी
विशेष विवरण
- तापमान अधिकतम: 1100 डिग्री सेल्सियस
- अधिकतम संभव ट्यूब बाहरी व्यास: 120 मिमी
- गर्म ट्यूब की लंबाई: 1300 मिमी
- पर्जिंग गैस विकल्प: हाइड्रोजन/नाइट्रोजन/फॉर्मिंग गैस/वायु/वैक्यूम
विवरण
उच्च तापमान हिंगेड ट्यूब भट्टी वैक्यूम, N2, H2 और गैस वायुमंडल बनाने के तहत संचालन की अनुमति देती है। फाइबर टाइलों से युक्त उच्च गुणवत्ता वाली इंसुलेटिंग सामग्री ऊर्जा बचत संचालन और कम ताप समय को सक्षम करती है और यह 1100 ° c का तापमान प्राप्त कर सकती है।
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
उच्च तापमान ओवन
उच्च तापमान वैक्यूम ओवन
मॉडल और बनाओ
वीटी 6130पी; थर्मो फिशर साइंटिफिक, जर्मनी
विशेष विवरण
- तापमान सीमा = 30 से 4000 सी
- सटीकता = ± 20C
- आंतरिक आयाम (wxhxd): 495 x - x 592 मिमी
- मैक्स। निर्वात स्तर: 1 x 10 -2 mbar (hPa)
विवरण
उच्च तापमान वैक्यूम ओवन का उपयोग वैक्यूम के तहत सभी प्रकार के कार्यात्मक कोटिंग्स / सामग्रियों को सुखाने या ठीक करने के लिए किया जाता है। यह व्यापक रूप से सौर पीवी, सौर तापीय और नैनोस्ट्रक्चर सामग्री और कोटिंग विकास के लिए अन्य अनुप्रयोगों में लागू होता है।
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
उच्च तापमान वैक्यूम ओवन
प्रेरण हीटिंग सिस्टम
मॉडल और बनाओ
DC1040 माइक्रोटेक इंडक्शन प्रा। लिमिटेड
विशेष विवरण
- पावर रेटिंग: 25KW
- आवृत्ति: 10 से 30 किलोहर्ट्ज़
- मैक्स। कॉइल करंट: 1000 से 2000 एम्पीयर
- तापमान सीमा: 300 से 1000 डिग्री सेल्सियस
- नमूना लंबाई: 100 से 1000 मिमी ऊंचाई और 20 से 100 मिमी आयुध डिपो
मुख्य विशेषताएं
- उन्नत प्रदर्शन के लिए उन्नत नियंत्रण सर्किट
- नमूना रोटेशन सुविधा के साथ त्वरित ताप
- नमूना को समान तरीके से गर्म करने के लिए आगमनात्मक कॉइल की गति को नियंत्रित करें
- संविदा आकार
विवरण
इंडक्शन हीटिंग विभिन्न प्रकार की निर्माण प्रक्रियाओं के लिए तेज, केंद्रित और लगातार गर्मी प्रदान करने का सबसे अच्छा तरीका है, जिसमें धातुओं या अन्य विद्युत-प्रवाहकीय सामग्रियों के गुणों को जोड़ना या बदलना शामिल है। संदूषण को सीमित करते हुए प्रेरण हीटिंग आपको अपने आवेदन की वस्तु को तेजी से गर्म करने की अनुमति देता है। प्रक्रिया गर्मी पैदा करने के लिए बिजली के प्रवाह पर निर्भर करती है और आधुनिक तकनीक की सहायता से प्रक्रिया उल्लेखनीय रूप से सरल हो जाती है, अनुप्रयोगों के लिए लागत प्रभावी हीटिंग विधि जिसमें सामग्री को जोड़ना, उपचार करना और पिघलाना शामिल है।
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
प्रेरण हीटिंग सिस्टम
इंकजेट प्रिंटर
इंक जेट प्रिंटर का उपयोग 300 मिमी x 300 मिमी के आकार के सबस्ट्रेट्स पर CIGS स्याही और विभिन्न अन्य प्रवाहकीय और अर्ध-प्रवाहकीय सामग्री स्याही को प्रिंट करने के लिए किया जा रहा है। कम से कम दो (2) एंबेडेड प्रिंट हेड्स के साथ सटीक XYZ स्टेज कंट्रोल के साथ मल्टी-मटेरियल, मल्टी लेयर्स इंक जेट डिपोजिशन प्रिंटर, जिसमें CAD/CAM सॉफ्टवेयर, ऑटोमेटेड हेड स्विचिंग, जेटिंग एनालिसिस, सब्सट्रेट का रीअलाइनमेंट जैसे इंक जेट प्रिंटर में आवश्यक सभी फंक्शन होते हैं। उच्च परिशुद्धता दोहराव सुनिश्चित करने के लिए प्रिंट हेड हीटिंग, ऑटो सफाई और प्रिंट हेड को पोंछना, वैक्यूम क्लैम्पिंग।
निर्माण
सेराड्रॉप, फ्रांस
विशेष विवरण
2 प्रिंट हेड
आवेदन
पतली फिल्म सौर कोशिकाओं के लिए सीआईजीएस स्याही प्रिंट करना
इंकजेट प्रिंटर
तीव्र स्पंदित प्रकाश प्रणाली
मॉडल और बनाओ
स्टार लाइट, भारत
विशेष विवरण
- पॉवर: 9W, पल्स चौड़ाई: 1-30 ms, डिले: 1-30 ms
आवेदन
- मुद्रित कच्ची फिल्मों की सिंटरिंग और उपचार
विवरण
तीव्र स्पंदित प्रकाश (आईपीएल) प्रणाली क्सीनन फ्लैश लैंप, एक एल्यूमीनियम परावर्तक, एक बिजली की आपूर्ति, कैपेसिटर, एक सिमर ट्रिगरिंग पल्स कंट्रोलर और एक लाइट फिल्टर से बना है। क्सीनन फ्लैश लैंप में आर्क प्लाज्मा घटना का उपयोग करके तीव्र स्पंदित प्रकाश प्रणाली उत्पन्न होती है। स्याही से छपी सीआईजीएस पतली फिल्मों के उपचार के लिए आईपीएल प्रणाली का उपयोग किया जा रहा है।
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
तीव्र स्पंदित प्रकाश
प्रयोगशाला मफल फर्नेस
मॉडल और बनाओ
एल5/12/पी330; नाबेरथर्म जीएमबीएच, जर्मनी
विशेष विवरण
- मेक: नाबेरथर्म जीएमबीएच, जर्मनी (L5/12/P330)
- मैक्स। ऑपरेटिंग तापमान रेंज: 1200 डिग्री सेल्सियस
- आंतरिक आयाम: 200 x170x130 मिमी (WxDxH)
विवरण
इसका उपयोग प्रयोगशाला पैमाने में सभी प्रकार की सामग्रियों को सुखाने या ठीक करने के लिए किया जाता है
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
प्रयोगशाला मफल भट्टी
Laminator
लैमिनेटर का उपयोग ग्लास या लचीले सबस्ट्रेट्स पर सीआईजीएस पतली फिल्म सौर सेल के टुकड़े टुकड़े करने के लिए किया जा रहा है। लैमिनेटर इलेक्ट्रिकल हीटिंग और वैक्यूम सिस्टम से लैस है। हीटिंग सिस्टम जो 180 डिग्री सेल्सियस तक गर्म हो सकता है और 5 डिग्री सेल्सियस / मिनट की दर से ठंडा हो सकता है। एक हीटिंग प्लेट का ऊपरी और आधार क्षेत्र न्यूनतम 300 मिमी x 300 मिमी के प्रभावी कार्य क्षेत्र के लिए उपयुक्त है, हीटिंग प्लेट क्षेत्र पर तापमान वितरण के साथ गर्म होने के दौरान और स्थिर अवस्था में +/- 2% है।
ग्लास सब्सट्रेट पर CIGS पतली फिल्म सौर सेल को अत्यधिक पर्यावरणीय संवेदनशीलता से बचाने के लिए एन्कैप्सुलेंट और टेम्पर्ड ग्लास के रूप में मानक इलाज या तेजी से इलाज एथिल विनाइल अल्कोहल (EVA) का उपयोग करके टुकड़े टुकड़े किया जा सकता है।
निर्माण
पी एनर्जी एसपीए, इटली
आवेदन
600 मिमी x 600 मिमी तक का सौर सेल लेमिनेशन/p>
Laminator
मेटलोग्राफी अब्रेसिव कटिंग मशीन
- मेक: चेन्नई मेटको प्राइवेट लिमिटेड (बैनकट 6841 - यूएम)
- आरपीएम नियंत्रित मोटर गति और शीतलक के साथ काटना
- नमूना आकार 20 से 500 मिमी लंबाई तक
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
मेटलोग्राफी अब्रेसिव कटिंग मशीन
मफल फर्नेंस
मॉडल और बनाओ
एन 1000/60HA; नाबेरथर्म जीएमबीएच, जर्मनी
विशेष विवरण
- अधिकतम कार्य तापमान: 200 से 600 डिग्री सेल्सियस
- फर्नेस आंतरिक आयाम: 1000 मिमी (डब्ल्यू) x 1000 मिमी (डी) x 1000 मिमी (एच)
- परिसंचरण दर: 3600 एम3/एच
- वायु परिचालित ताप / शीतलन
विवरण
मफल भट्टी में बड़े क्षेत्र के सौर चयनात्मक अवशोषक ट्यूबों के समान थर्मल उपचार के लिए पांच साइड हीटिंग ज़ोन हैं। अधिक तापमान संरक्षण प्रणाली के साथ पीएलसी नियंत्रक लंबे सिंटरिंग चक्र को सक्षम करता है। प्रतिक्रियाशील और अक्रिय गैसों को खिलाने के लिए प्रावधान उपलब्ध हैं।
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
मफल फर्नेंस
मल्टी पोर्ट दस्ताना बॉक्स थर्मल बाष्पीकरण के साथ एकीकृत
मॉडल और बनाओ
MBRAUN-जर्मनी, MB-200 दस्ताना बॉक्स वर्क स्टेशन
विशेष विवरण
- बहु-रंग टच स्क्रीन के साथ सीमेंस पीएलसी
- दर नियंत्रण/निगरानी के लिए इन्फिकॉन नियंत्रक
- नुस्खा प्रबंधन
- एकीकृत क्वार्ट्ज लैंप हीटर
विवरण
थर्मल बाष्पीकरण एकीकृत दस्ताना बॉक्स इकाई का उपयोग आर्गन से भरे वातावरण के अंदर पेरोसाइट सौर कोशिकाओं के निर्माण के लिए किया जाता है। बड़े क्षेत्र पर सक्रिय परतों की मोटाई और एकरूपता पर सटीक नियंत्रण के साथ पेरोसाइट अग्रदूत सामग्री और धातुओं को जमा करने के लिए कार्बनिक, अकार्बनिक थर्मल बाष्पीकरण से सुसज्जित दस्ताने बॉक्स इकाई। और इसमें फैब्रिकेटेड पेरोसाइट उपकरणों के ग्लास से ग्लास एनकैप्सुलेशन के लिए यूवी-इलाज ओवन भी शामिल है।
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
पल्स बिजली की आपूर्ति
मॉडल और बनाओ
डीपीआर सीरीज (डीयूपीआर 10-3-6); डायनेट्रोनिक्स इंक, यूएसए
विशेष विवरण
- वास्तविक समय चक्र नियंत्रण
- एम्पीयर टाइम साइकिल कंट्रोल
- एम्पीयर टाइम टोटलाइजर
- अधिक तापमान, लॉक फैन रोटर, आउटपुट आउट-ऑफ-टॉलरेंस और पावर फेलियर/ब्राउनआउट स्थितियों के लिए त्रुटि संकेत
- नियंत्रण इंटरफ़ेस के माध्यम से अंशांकन क्षमता
- सीधे डीसी या उच्च आवृत्ति पल्स आउटपुट (0-5000 हर्ट्ज) क्षमता
- 0 - 10.0 वोल्ट औसत (डीसी) या पीक (स्पंदित) वोल्टेज
- 0 - 3.0 एम्पीयर औसत करंट (या अधिकतम डीसी करंट)
- 0.3 - 6.0 एम्पीयर पीक (स्पंदित) करंट
विवरण
डीसी, पल्स और पल्स रिवर्स इलेक्ट्रोडपोजिशन और इलेक्ट्रोकेमिकल एनोडाइजेशन के लिए पूरी तरह से प्रोग्राम करने योग्य बिजली की आपूर्ति
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
क्वांटम दक्षता परीक्षक (आईपीसीई)
मॉडल और बनाओ
बेंथम PVE300
विशेष विवरण
- ऑपरेशन की सीमा: 300-1200/2500 एनएम
- प्रकाश स्रोत: 75 W क्सीनन और 100 W क्वार्ट्ज हैलोजन
- स्रोत विकिरण: 0 - 1.5 सूर्य
- वेवलेंथ सटीकता: ± 0.2 - 0.4 एनएम
- जांच का आकार: 0.2 - 7 मिमी व्यास
- संदर्भ अंशशोधक: Si 300 - 1100 nm, Ge 800 - 1800 nm
- नमूना क्षेत्र: 200 x 200 मिमी
विवरण
- सेल की फोटोकरंट पीढ़ी की तरंग दैर्ध्य निर्भरता को मापता है
- सौर सेल की वर्णक्रमीय प्रतिक्रिया (SR) निर्धारित करता है
- किसी भी घटना वर्णक्रमीय विकिरण के तहत डिवाइस के शॉर्ट सर्किट करंट, Isc की भविष्यवाणी करता है
- क्वांटम दक्षता की गणना करता है, जो सेल की रूपांतरण दक्षता को तरंगदैर्घ्य के कार्य के रूप में इंगित करता है
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
आरएफ मैग्नेट्रॉन स्पटरिंग सिस्टम
निर्माण
एडवांस प्रोसेस टेक्नोलॉजीज प्रा. लिमिटेड, पुणे, भारत
विशेष विवरण
- स्पटरिंग लक्ष्य: ZnO और AZO
- बिजली की आपूर्ति: 600W तक आरएफ बिजली की आपूर्ति
- सब्सट्रेट धारक: सब्सट्रेट हीटिंग के लिए अंतर्निर्मित हीटर के साथ घूर्णन योग्य
- सब्सट्रेट आकार: 50x50 मिमी अधिकतम
- गैस इनपुट: द्रव्यमान प्रवाह नियंत्रकों के साथ Ar और O2
- पम्पिंग सिस्टम: स्क्रॉल पंप द्वारा समर्थित टर्बो आणविक पंप
आवेदन
ZnO और AZO परत CIGS सौर कोशिकाओं के लिए स्पटरिंग।
विवरण
सीआईजीएस सौर कोशिकाओं पर पारदर्शी फ्रंट कॉन्टैक्ट लेयर बनाने के लिए टॉप डाउन डिपोजिशन कॉन्फ़िगरेशन वाला आरएफ स्पटरिंग सिस्टम है। इसमें ZnO और Al-doped ZnO (AZO) के सिरेमिक लक्ष्य वाले 2 मैग्नेट्रोन हैं, जो वैक्यूम को तोड़े बिना दो परतों के अनुक्रमिक जमाव को सक्षम करते हैं। प्रणाली 50x50 मिमी आकार तक के नमूनों को समायोजित कर सकती है और बेहतर कोटिंग मोटाई एकरूपता के लिए एक घूर्णन योग्य सब्सट्रेट धारक है। डिपोजिशन पावर, चैम्बर प्रेशर, गैस फ्लो और सबस्ट्रेट डिस्टेंस के टारगेट जैसे महत्वपूर्ण डिपोजिशन पैरामीटर्स को एक समर्पित सॉफ्टवेयर की मदद से एक पीसी के माध्यम से नियंत्रित किया जा सकता है।
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
नमक स्प्रे कक्ष
मॉडल और बनाओ
Aएस्कॉट, S120iP
विशेष विवरण
- कैबिनेट क्षमता: 120 लीटर
- चैंबर तापमान रेंज: परिवेश से +50 डिग्री सेल्सियस तक समायोज्य
- तापमान (सुखाने मोड): परिवेश से +50 डिग्री सेल्सियस तक समायोज्य
- तापमान (गीला मोड): परिवेश से +50 डिग्री सेल्सियस तक समायोज्य
- साल्ट फॉग फॉलआउट रेट: 0.5 से 2.5 मिली प्रति 80 सेमी प्रति घंटे तक एडजस्ट किया जा सकता है
- आर्द्रता सीमा: 95% से 100% आरएच पर तय की गई
- आंतरिक आयाम: 715 मिमी (डब्ल्यू) x490 मिमी (डी) x490 मिमी (एच)
विशेष लक्षण
- त्वरित औद्योगिक/अम्लीय वातावरण के लिए SO2 गैस खुराक सुविधा
- संशोधित परीक्षण मानकों के लिए दो-चरणीय प्रोग्रामिंग
- एएसटीएम और आईएसओ मानकों के साथ संगत
विवरण
नमक स्प्रे (या नमक कोहरा) कक्ष एक मानकीकृत और लोकप्रिय जंग परीक्षण उपकरण है, जिसका उपयोग सामग्री और सतह कोटिंग्स के संक्षारण प्रतिरोध की जांच के लिए किया जाता है। आम तौर पर, परीक्षण की जाने वाली सामग्री धातु होती है और एक सतह कोटिंग के साथ समाप्त होती है जिसका उद्देश्य अंतर्निहित धातु को जंग संरक्षण की डिग्री प्रदान करना है।
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
Figure 5. Salt spray chamber with SO2 purging facility
लिखावट प्रणाली
निर्धारित चौड़ाई के सौर सेल का उत्पादन करने के लिए 300 मिमी x 300 मिमी के आकार के साथ सबस्ट्रेट्स पर प्रवाहकीय और अर्ध-प्रवाहकीय सामग्रियों की पतली फिल्मों की संरचना के लिए स्क्राइबिंग सिस्टम है। स्क्राइबिंग सिस्टम उच्चतम लचीलापन प्रदान करता है। यह 1064 एनएम लेजर स्रोत, ऑप्टिकल कॉन्फ़िगरेशन के साथ-साथ एक यांत्रिक स्क्राइबिंग हेड से लैस है। विशेष डिजाइन ग्लास के माध्यम से या ऑटो फोकसिंग विकल्प के साथ फिल्म की ओर से सबस्ट्रेट्स को संसाधित करने की अनुमति देता है। स्क्राइबिंग उत्पादों को मज़बूती से हटाने के लिए सब्सट्रेट के दोनों किनारों पर निष्कर्षण नलिका। कणों को एक निस्पंदन इकाई में निकास से हटा दिया जाता है। स्क्राइबिंग सिस्टम 6 मिमी तक की मोटाई के साथ सबस्ट्रेट्स पर 2 मीटर/एस तक की अक्ष गति के साथ काम करता है।
स्क्राइबिंग प्रणाली का उपयोग विभिन्न चरणों (पी1, पी2 और पी3) पर सीआईजीएस पतली फिल्म सौर कोशिकाओं को पटरने के लिए किया जा रहा है और कम से कम मृत क्षेत्र और बड़े प्रभावी क्षेत्र के साथ मोनोलिथिक रूप से एकीकृत सीआईजीएस पतली फिल्म सौर कोशिकाओं को हटाने के लिए किनारों को हटाने के लिए किया जा रहा है।
निर्माण
एलपीकेएफ सोलरक्विपमेंट, जर्मनी
विशेष विवरण
लेजर और मैकेनिकल स्क्राइबर
आवेदन
पतली फिल्म सौर कोशिकाओं का पैटर्निंग
लिखावट प्रणाली
स्पटर कोटर
निर्माण
सिंगुलस टेक्नोलॉजीज एजी, जर्मनी
विशेष विवरण
- स्पंदित डीसी रोटरी ट्यूब मैग्नेट्रॉन का उपयोग करके इन लाइन वर्टिकल हाई वैक्यूम स्पटर कोटर
आवेदन
- ऑक्साइड (ZnO और Al:ZnO) के लिए स्पटर प्रक्रिया और धातुओं (Mo, Cu, CuGa और In) के लिए स्पटर प्रक्रिया
विवरण
इन लाइन वर्टिकल हाई वैक्यूम आधारित स्पटर कोटर ग्लास पर स्पटरिंग और 300 मिमी x 300 मिमी के आकार के लचीले सब्सट्रेट के लिए है। स्पटर कोटर का उपयोग CIS और CIGS पतली फिल्म सौर सेल अनुप्रयोग जैसे Mo, Cu/CuGa, In, ZnO और Al:ZnO के लिए स्पंदित DC रोटरी ट्यूब मैग्नेट्रोन का उपयोग करके विभिन्न सामग्रियों के निक्षेपण के लिए किया जा रहा है। स्पटर कोटर गर्म स्पटर प्रक्रिया के लिए उच्च तापमान एकरूपता के साथ 300 डिग्री सेल्सियस तक सब्सट्रेट को गर्म करने में सक्षम है। स्पटर कोटर में वैक्यूम में आवश्यक तापमान रैंप दर को कम करने और पंपिंग समय को कम करने के लिए सब्सट्रेट और वाहक के प्रीहीटिंग के लिए लोडिंग स्टेशन, प्रीहीटिंग स्टेशन, धातु और ऑक्साइड के लिए दो लोड लॉक चैंबर, दो एक्सटेंशन चैंबर और डिपोजिशन चैंबर होते हैं।
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
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स्पटर कोटर
स्टाइलस प्रोफिलोमीटर
मॉडल और बनाओ
DektakXT, ब्रूकर
विशेष विवरण
- मापन तकनीक: स्टाइलस प्रोफिलोमेट्री (संपर्क माप)
- मापन क्षमता: द्वि-आयामी सतह प्रोफ़ाइल माप; त्रि-आयामी माप / विश्लेषण
- स्टाइलस फोर्स: एलआईएस 3 के साथ 1 से 15 मिलीग्राम
- स्टाइलस विकल्प: स्टाइलस त्रिज्या विकल्प (50 एनएम और 2 माइक्रोन)
- स्कैन लंबाई सीमा: न्यूनतम 1 से अधिकतम 200 मिमी
- मैक्स। नमूना मोटाई: 50 मिमी
विवरण
स्टाइलस प्रोफिलोमीटर का उपयोग विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए पतली फिल्म की मोटाई, 3डी-मैपिंग, तनाव और सतह खुरदरापन को मापने के लिए किया जाता है।
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
Figure 4. Stylus Profilometer
टेन्सियोमीटर और संपर्क कोण माप प्रणाली
संपर्क कोण मीटर:
- स्लाइडिंग कोण सुविधा के साथ संपर्क कोण माप (0°-180°; ± 0.01° रिज़ॉल्यूशन)।
- तरल पदार्थ का घनत्व (घनत्व के लिए सीमा: 0.50-2.50 g/cm3; ± 0.002 g/cm3 रिज़ॉल्यूशन
- अवसादन और प्रवेश दर
स्वचालित सतह तनाव नापने का यंत्र:
- मापन विधि: विल्हेमी प्लेट विधि और डु नोय रिंग विधि
- माप सीमा 0 - 100 एमएन / एम
- संकल्प 0.01 एमएन / एम
- स्टेज गति, स्ट्रोक: 0.1 - 1.0 मिमी/एस, स्ट्रोक 48 मिमी
- सॉफ्टवेयर मानक: सतह / इंटरफेसियल तनाव, लैमेला लंबाई, तरल घनत्व
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
अल्ट्रासोनिक प्रोसेसर
- मेक: सोनिक्स एंड मैटेरियल्स, INC (VC505)
- शक्ति और आवृत्ति: 500 वाट और 20 किलोहर्ट्ज़
- टिप की लंबाई और व्यास: 136 मिमी और 13 मिमी
- मात्रा की विस्तृत श्रृंखला 100 से 1000 मिलीलीटर तक
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
अल्ट्रासोनिक प्रोसेसर
अल्ट्रासोनिकेटर
- ट्रांस-ओ-सोनिक (U-5000-H-DUN, 3015)
- आयाम: टैंक स्पष्ट आकार 500*525*1000 मिमी (एल*बी*एच)
- अल्ट्रासोनिकेटर पावर: 5000 वाट
- तापमान: 80 डिग्री सेल्सियस तक
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
अल्ट्रासोनिकेटर
यूवी-विज़-एनआईआर स्पेक्ट्रोफोटोमीटर
मॉडल और बनाओ
कैरी 5000, वेरियन इंक, यूएस
विशेष विवरण
- तरंग दैर्ध्य रेंज: 190-3300 एनएम
- अधिकतम स्कैन दर: 2000 (यूवी-विज़) और 8000 (एनआईआर)
- संभावित माप: संप्रेषण, परावर्तन (स्पेक्युलर, डिफ्यूज़ और टोटल) और ठोस पदार्थों, फिल्मों, शक्तियों और तरल पदार्थों का अवशोषण।
- सहायक उपकरण: स्पेक्युलर और डीआरएस (एकीकृत क्षेत्र), तरल और ठोस नमूनों के लिए संप्रेषण मोड
- नमूना आकार: न्यूनतम व्यास: 12 मिमी और अधिकतम व्यास: 100 मिमी
विशेष सहायक
- यूनिवर्सल मेजरमेंट एक्सेसरी (UMA)
विशेष विवरण:
- मापन मोड: 0.02 डिग्री अंतराल में 5-85 डिग्री से चर कोण पर पूर्ण स्पेक्युलर प्रतिबिंब, 0.02 डिग्री अंतराल में 0-90 डिग्री से प्रत्यक्ष संचरण और चर कोण संचरण, स्वतंत्र नमूना रोटेशन (360 डिग्री) के माध्यम से फैलाना बिखरना, प्रतिबिंब या संचरण और अंतराल में 0.02 डिग्री पर 10–350 डिग्री के बीच डिटेक्टर की स्थिति।
- वेवलेंथ रेंज: 190-2800 एनएम
- ऑटो पोलराइज़र वेवलेंथ रेंज: 250-2500 एनएम
- नमूना आकार: व्यास: न्यूनतम 5 से 250 मिमी अधिकतम
- छिद्र: घटना बीम: 1, 2 और 3 डिग्री, डिटेक्टर: 1, 1.8, 2, 3, 4, 4.4, 5 और 6°
विवरण
उपकरण सभी प्रकार की सौर ऊर्जा सामग्री और कोटिंग्स के साथ-साथ रासायनिक यौगिकों के सभी बुनियादी लक्षणों और उनकी एकाग्रता के निर्धारण के सभी ऑप्टिकल लक्षण वर्णन (संचारण, अवशोषण और प्रतिबिंब (स्पेक्युलर, फैलाना और कुल)) को सक्षम बनाता है। यह व्यापक रूप से सौर पीवी, सौर तापीय, प्रकाशिकी, पर्यावरण विश्लेषण और रासायनिक और फोटोकैमिकल प्रतिक्रियाओं की जांच में लागू होता है।
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
Figure 1. UV-Vis-NIR spectrophotometer
एक्स-रे प्रतिदीप्ति स्पेक्ट्रोमीटर (XRF)
मॉडल और बनाओ
फिशरस्कोप एक्स-रे एक्सडीवी-एसडीडी; हेल्मुट फिशर, स्विट्जरलैंड
आवेदन
- पतली फिल्मों की विशेषता
विवरण
बहुत पतली कोटिंग्स के स्वचालित मापन और ट्रेस विश्लेषण के लिए एक प्रोग्रामयोग्य एक्स/वाई-स्टेज और जेड-अक्ष के साथ एक्स-रे प्रतिदीप्ति स्पेक्ट्रोमीटर। अपने तेज़, प्रोग्रामेबल X/Y-स्टेज के साथ, यह 250 मिमी x 250 मिमी के क्षेत्र पर मानचित्रण करके स्वचालित नमूना मापन के लिए उपयुक्त माप उपकरण है। एक्सआरएफ स्पेक्ट्रोमीटर का उपयोग करके एक साथ एल्यूमीनियम (13) से यूरेनियम (92) तक की सीमा में 24 तत्वों का पता लगाना संभव है।
चूंकि CIGS पतली फिल्म निर्माण प्रक्रिया के विभिन्न चरणों में फिल्म की मोटाई, एकरूपता और संरचना बहुत महत्वपूर्ण है, XRF स्पेक्ट्रोमीटर का उपयोग विभिन्न फिल्मों की मोटाई और एकरूपता के विश्लेषण के लिए किया जा रहा है, जैसे Mo, CuGa, In, ZnO, AZO के दौरान लेपित किया जा रहा है। पतली फिल्म निर्माण प्रक्रिया और सीआईजीएस और सीडीएस की संरचना के लिए।
केंद्र
सौर ऊर्जा सामग्री केंद्र
